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张剑铭; 邹德恕; 刘思南; 朱彦旭; 沈光地;
北京工业大学北京市光电子技术实验室;
AlGaInP; 氧化铟锡(ITO); 薄膜发光二极管(LED); 发光强度;
机译:具有铟锡氧化物(ITO)直接欧姆接触结构的基于AlGaInP的发光二极管的特性
机译:具有全向反射器和ITO透明导电n型触点的AlGaInP薄膜LED
机译:GaN基发光二极管具有多种Sn_2O_3含量的RF叠加DC溅射ITO透明p电极的欧姆接触机理
机译:具有网状图案欧姆接触的P侧向上薄膜AlGaInP基发光二极管
机译:氧化铟基透明导电氧化物薄膜的金属有机化学气相沉积:前体合成,膜生长和表征及其在聚合物发光二极管器件中的应用。
机译:紫外发光二极管用透明导电ITO / Ga2O3 / Ag / Ga2O3多层膜的电学和光学性质
机译:透明导电ITO / AL-AG / ITO多层接触的结构光学和电气性能
机译:氧化锆 - 氧化铝-ITO纳米层用于透明,导电,转变 - 增韧涂层
机译:沉积成透明导电薄膜,ITO透明导电薄膜,透明导电薄膜和触摸板的方法
机译:用于N型,Ga型p型半导体欧姆接触的透明薄膜电极,用于高质量的发光二极管和激光二极管
机译:形成能够形成半导体层与透明导电膜之间的欧姆接触的发射器件的透明导电膜的溅射装置和方法
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