硅低频大功率管制造中出现EB结软击穿问题的讨论

摘要

＜正＞在3DD15、D7312、DD03等一类硅低频大功率管技术参数中,有一项重要的直流参数,即发射结反向击穿电压BVEBO。EB结反向特性的硬、软和高低,直接影响交、直流讯号的正常放大,按技术指标的规定,一般均要求BVEBO≥5V（测试条件IB=1mA）且呈硬击穿。根据3DD15、DD03、D7312等一类低频大功率管的工艺结构设计,为了保证器件在大电流工作时也有同样足够的电流放大系数以及有较高的BVEBO、BVCEO,我们选取基区浓度ND=（1～5）×1018cm-3,Ne=1×1021cm（-3）,Xic≈30μm,Xie=15～20μm,实际制得的管子EB反向击穿电压BV（EBO）均能达到12V以上,且