非晶硅薄膜对钠离子的掩蔽能力

摘要

用法国制IMS 300型离子微分析仪对SiO2/C-Si,Si3N4/C-Si及α-Si:H/C-Si样品中的钠进行深度分布分析。实验结果指出α-Si:H膜掩蔽钠离子的能力最强,Si3N4次之,SiO2最差。