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摘要
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 太阳能电池的分类
1.2.1 硅太阳能电池
1.2.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体太阳能电池
1.2.3 Ⅱ-Ⅵ族半导体太阳能电池
1.2.4 有机太阳能电池
1.3 非晶硅薄膜
1.3.1 非晶硅薄膜的基本性质
1.3.2 非晶硅薄膜的生长
1.3.3 高品质非晶硅薄膜的制备方法
1.3.4 非晶硅薄膜的掺杂
1.3.5 非晶硅薄膜的光致衰减效应
1.4 非晶硅薄膜太阳能电池
1.4.1 非晶硅薄膜太阳能电池的工作原理和结构
1.4.2 非晶硅薄膜太阳能电池制备的方法
1.4.3 非晶硅薄膜太阳能电池的研究现状和市场现状
1.5 选题意义及其研究内容
第2章 实验部分
2.1 非晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺流程
2.1.1 玻璃基片的清洗
2.1.2 玻璃基片的加热
2.1.3 AZO膜的溅射设备
2.1.4 Si膜的PECVD设备及电池的集成
2.1.5 非晶硅薄膜太阳能电池的后期处理
2.2 薄膜性能和电池组件性能表征方法
2.2.1 薄膜厚度测试
2.2.2 薄膜光学性能的测试
2.2.3 薄膜微观结构的测试
2.2.4 薄膜表面形貌的观察
2.2.5 薄膜电学性能的测试
2.2.6 电池组件Ⅳ曲线的测试
第3章 硼掺杂对p型a-Si:H薄膜结构和光电性能的影响
3.1 硼掺杂对p型a-Si:H薄膜的微观结构影响
3.2 硼掺杂对p型a-Si:H薄膜光学性能的影响
3.3 硼掺杂率对p型a-Si:H薄膜沉积速率的影响
3.4 硼掺杂率对p型a-Si:H薄膜电导率的影响
3.5 不同硼掺杂率下p型a-Si:H的表面形貌
3.6 本章小结
第4章 射频功率对p型a-Si:H薄膜结构和光电性能的影响
4.1 射频功率对p型a-Si:H薄膜微观结构的影响
4.2 射频功率对p型a-Si:H薄膜光学性能的影响
4.3 射频功率对p型a-Si:H薄膜沉积速率的影响
4.4 射频功率对P型a-Si:H薄膜电学性能的影响
4.5 不同射频功率下p型a-Si:H薄膜的表面形貌
4.6 本章小结
第5章 衬底温度对p型a-Si:H薄膜结构和光电性能的影响
5.2 衬底温度对p型a-Si:H薄膜微观结构的影响
5.2 衬底温度对p型a-Si:H薄膜光学性能的影响
5.3 衬底温度对p型a-Si:H薄膜沉积速率的影响
5.4 衬底温度对p型a-Si:H薄膜电学的影响
5.5 不同衬底温度下p型a-Si:H表面形貌
5.6 本章小结
第6章 电源频率对p型a-Si:H薄膜结构和光电性能的影响
6.1 甚高频电源的调试
6.2 工作频率对p型a-Si:H薄膜微观形貌的影响
6.3 工作频率对p型a-Si:H薄膜沉积速率的影响
6.4 工作频率对p型a-Si:H光学性能的影响
6.5 工作频率对p型a-Si:H电导率的影响
6.6 本章小结
第7章 电池的制备及其性能研究
7.1 衬底温度对非晶硅薄膜电池太阳能性能的影响
7.2 本征层厚度对非晶硅薄膜电池太阳能性能的影响
7.3 本章小结
第8章 结论
参考文献
致谢
研究生期间发表的论文