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真空蒸发CuInSe2薄膜的结构和电学性质

         

摘要

本文叙述了采用单源和双源真空蒸发法制备CuInSe2薄膜。研究了CuInSe2膜的结构和电学性质与基板温度的关系。给出了各种气氛处理对膜电学性质的影响。并且制成了P-CuInSe2/n-CdS太阳电池。

著录项

  • 来源
    《真空科学与技术学报》 |1983年第6期|441-446|共6页
  • 作者

    王福善; 李培德;

  • 作者单位

    中国科学院长春应用化学研究所;

    中国科学院长春应用化学研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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