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掺铒硅光致发光的研究

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摘要

采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的很强的光致发光。研究了不同的氧含量、退火温度、测量温度和激发功率对掺铒硅光致发光强度的影响和规律 ,对其发光机理进行了初步的探讨

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来源
《真空科学与技术学报》 |1999年第3期||共页
作者
顾诠何杰陈维德许振嘉谢小龙梁建军马智训廖显伯;
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作者单位

中国科学院半导体所!北京100083;

中国科学院凝聚态物理中心表面物理国家重点实验室!北京100080;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类发光器件;
关键词
掺铒硅; 光致发光; 氧含量;

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