掺Fe或同时掺Fe和Ga半绝缘InP的电学性质分析

摘要

本文采取理论计算与实验数据相拟合的方法,简明地图解了掺Fe或同时掺Fe和Ga的半绝缘InP的电学性质.当选取电子与空穴迁移率之比μn/μp（?）20时,两种材料的Hall迁移率μH都得到最佳拟合,与Rhee的结果一致.高温变温Hall数据表明,在迁移率与温度关系上,两种材料存在差异:掺Fe-InP的迁移率随温度升高而减小或基本不变,而同时掺Fe和Ga-InP的迁移率有随温度增加的趋势.