比导通电阻2.3 mΩ·cm~2的650 V,200 A碳化硅功率MOSFET器件

摘要

针对电动汽车、光伏、储能等战略性新兴产业对高可靠高效率碳化硅功率MOSFET器件的需求，开展了650 V碳化硅外延结构、芯片JFET区尺寸和掺杂等关键技术研究，研制出比导通电阻2.3 mΩ·cm~2的650 V、200 A碳化硅MOSFET。器件在漏极电压900 V时，漏源漏电流小于1μA；在环境温度150℃、栅极偏置电压22 V的应力条件下，经过1 000 h的高温栅偏可靠性试验，阈值电压正向漂移量小于0.3 V，显示出良好的稳定性。