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汪正孝;
中国科学院半导体研究所;
机译:具有GaAs / AlGaAs超晶格缓冲层的Al_(0.2)Ga_(0.8)As / In_(0.22)Ga_(0.78)As伪非晶双异质结调制掺杂场效应晶体管的温度相关特性
机译:Al / sub x / Ga / sub 1-x / As / GaAs和Al / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub y / Ga / sub 1-y / As调制的短脉冲传输特性-掺杂异质结FET
机译:(Al / sub 0.7 / Ga / sub 0.3 /)/ sub 0.5 / In / sub 0.5 / P / In / sub 0.15 / Ga / sub 0.85 / As / Ga As异质结场效应晶体管,具有非常薄的高度p掺杂表面层
机译:伪掺杂Ga0.78Al0.22As / In0.21Ga0.79As / GaAs调制量子阱结构的电调制研究:二维电子气效应
机译:半导体异质结中二维电子气的电学特性及器件应用研究
机译:Cr3 +掺杂对Cr3 +掺杂和Cr3 +Nd3 +共掺杂的Y3Al5O12Y3Al2Ga3O12和Y3Ga5O12纳米温度计中温度灵敏度调制的影响。
机译:分子束外延生长的调制掺杂Ga0.47In0.53As / Al0.48In0.52As异质结中的电子迁移率
机译:al(sub x)Ga(sub 1-x)N / GaN调制掺杂场效应晶体管低能电子辐射效应分析
机译:伪晶调制掺杂异质结场效应晶体管
机译:调制掺杂异质结场效应晶体管
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