一种二维半导体调制掺杂的覆盖层筛选方法及所得异质结

摘要

本申请涉及集成电路技术领域，提供一种二维半导体调制掺杂的覆盖层筛选方法及所得异质结，所述覆盖层筛选方法根据沟道层材料的本征属性，筛选覆盖层材料及其内缺陷种类，基于密度泛函理论，根据覆盖层材料内缺陷与沟道层材料间的电荷转移为判据，确定掺杂类型(电子掺杂或空穴掺杂)，从而达到为沟道层材料的N/P型掺杂，筛选出特定的覆盖层材料和其缺陷种类的目的。本申请实施例提供的覆盖层筛选方法，获得的掺杂方案稳定性良好、不破坏沟道材料晶格，并能够与现有集成电路工艺实现较好的兼容。