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刘放; 罗晋生; 范永平;
轻工业部钟表研宄所;
西安交通大学;
机译:激光退火与快速热退火在GaAs中激活Si的比较研究
机译:快速热退火对B离子注入制备的InGaP / GaAs集电极-异质结双极晶体管的偏置应力引起的基极泄漏的影响。
机译:快速热退火后进行砷离子,硼离子和硅离子注入的Si0.99C0.01薄膜的TEM观察
机译:快速热退火对砷离子注入GaAs中载流子寿命的影响
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:等离子体浸入He +离子注入和后续热退火后的Si表面层的微观结构
机译:N +离子注入和快速热退火的Si(100)晶片的光学特性,通过光谱椭圆偏振法研究
机译:si离子注入激光退火Gaas的双晶X射线衍射研究。
机译:通过离子注入和热退火在SI或绝缘体上硅衬底上释放的SIGE层
机译:通过离子注入和热退火在Si或绝缘体上硅衬底上的弛豫SiGe层
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