10keV B+注入预非晶化Si的剩余缺陷和浅结

卢志恒; 李素杰; 罗晏; 张朝明; 张荟星

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10keV B+注入预非晶化Si的剩余缺陷和浅结

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＜正＞一、问题的提出和实验方法在低能注入B+浅结的过程中,沟道效应难以避免。为避免B+注入的沟道效应,本文采用100keV下5×1015cm-2的Si29注入n-Si＜100＞进行非晶化处理。继而进行了10keV,1×1015cm-2的B+注入形成浅结,然后对样品进行快速热退火（RTA）处理,并观察界面缺陷的

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1988年第4期|368-370|共3页
作者
卢志恒; 李素杰; 罗晏; 张朝明; 张荟星;
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作者单位

北京师范大学低能核物理研究所;

北京师范大学低能核物理研究所;

北京师范大学低能核物理研究所;

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