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机译:Si / SiO_2掩埋界面对预非晶化植入物超浅结中掺杂物和缺陷演变的影响
Advanced Technology Institute, University of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, United Kingdom;
机译:绝缘体上硅中超浅B注入的扩散和激活:范围末端缺陷溶解和掩埋的Si / SiO_2界面
机译:了解PAI USJ中掩埋的Si / SiO_2界面对掺杂剂和缺陷演变的作用
机译:B和BF_2注入在绝缘体上的硅和硅中的B和BF_2注入时,距离缺陷带的末端与上部掩埋氧化物界面之间的相互作用
机译:硼在预非晶化超浅结中的失活和扩散:间质转运和F共植入控制
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:使用和频产生振动光谱在掩埋聚合物界面的分子结构和生物界面的阐明
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