反应生成的TiSi2薄膜特性及TiSi2/poly Si栅结构特性、TiSi2/n+-Si接触特性和形貌的研究

摘要

＜正＞ 一、引言 随着集成电路的发展,集成度的提高,器件尺寸将逐渐缩小,此时RC延迟时间及接触电阻的影响将越来越显著。目前广泛应用的多晶硅栅材料在亚微米技术中已不再适用,取代它的有硅化物/多晶硅栅。由于TiSi2的电阻率低,形成温度低,因此是人们最重视的硅化物。本文对反应生成的TiSi2/poly Si栅结构及TiSi2/n+-Si的接触特性进行了系统研究,有助于