脉冲激光沉积TiO_2薄膜的I-V和C-V

摘要

报道了使用 355nm激光烧蚀金属钛在 p Si基片上反应性沉积TiO2 薄膜 ,并对Al/TiO2 /Si电容器的C_V和I_V特性进行了测量 .结果表明经过 70 0℃退火处理的薄膜具有高的介电常数 4 6 .慢界面陷阱密度和在Si禁带中央处的界面陷阱密度分别估计为 1 8× 10 1 2 cm-2 和 2× 10 1 2 eV-1 ·cm-2 .此外 ,讨论了薄膜的导电机制 .