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宋志伟; 王如志; 赵 维; 李松玲; 王 波; 严 辉;
中国仪器仪表学会;
中国金属学会;
机译:脉冲激光沉积制备的Si衬底上的纳米AlN / GaN薄膜的场发射
机译:AIN缓冲层厚度对脉冲激光沉积生长的GaN薄膜性能的影响
机译:CH_4 / Ar总气压对等离子体增强化学气相沉积法生长碳纳米材料结构和场电子发射性能的影响
机译:通过脉冲激光沉积在自组装纳米孔Al {Sub} 2O×3矩阵上沉积沉积的镧含镧纳米粒子和纳米线阵列的表征和场发射性能。
机译:通过脉冲激光沉积法表征和掺杂了稀土的GaN薄膜(西班牙文)。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:氮气流量对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的GaN薄膜光学性能的影响
机译:脉冲激光沉积非晶金刚石及相关材料:合成,表征和场发射性质
机译:高质量的光致发光GaN薄膜的脉冲激光沉积
机译:具有增强的场发射性能的Zno纳米线的制备方法以及通过使用DC电压使用Zno纳米线增强设备的场发射性能的方法
机译:脉冲激光沉积不含脉冲激光沉积的错开半导体纳米结构,没有播种或催化剂
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