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周勋; 罗木昌; 赵文伯; 黄烈云;
重庆光电技术研究所,重庆400060;
高Al组分n-AlGaN; Ti/Al/Ti/Au; 接触层厚度; 两步退火; 欧姆接触;
机译:等离子体处理对与n-AlGaN接触的Ti / Al / Ti / Au接触欧姆特性的影响
机译:退火温度对欧姆接触Ti / Al / Ni / Au与n-AlGaN / GaN异质结构的形态的影响
机译:用于n-AlGaN的Ti / Al和WNi / Ti / Al欧姆接触的TEM / HREM
机译:Ti-6Al-4V中微结构对高周疲劳寿命变异性的作用。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:在4.2-300 K的温度范围内,欧姆接触Au-Ti-Al-Ti-n + -GaN中的电流流动机理
机译:砷化镓上的au-Ge-Ni-Ti欧姆接触。
机译:具有高蠕变断裂强度的Ti.Al金属间化合物耐热材料的制备,Ti.Al金属间化合物的粉末及其制造
机译:AU,CO,PD,PT,RU,RH,IR,TA,CR,MN,MO,TC,W,RE,FE,SC,TI,SN,GE,SB,AL,ITO,ZNO
机译:Ga-Al-As化合物半导体的Au-Ge-Ni欧姆接触
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