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滕世豹; 杨瑞霞; 兰飞飞; 陈春梅; 田树盛; 孙小婷; 刘海萍;
河北工业大学电子信息工程学院;
天津300401;
MoS2; 射频磁控溅射; 退火温度; 多层薄膜; 溅射功率; 工作气压;
机译:射频磁控溅射制备BaSrTi_(1.1)O_3 / BaSrTi_(1.05)O_3 / BaSrTiO_3多层薄膜的介电增强
机译:射频磁控溅射法制备碲化铋和硒化铟多层薄膜及其热电性能
机译:射频磁控溅射制备多层薄膜电容器
机译:射频磁控溅射制备的多层薄膜电容器
机译:射频磁控溅射砷化镓,碲化砷硒和硅薄膜的制备和表征。
机译:射频磁控溅射在CpTi衬底上制备TiC薄膜的微观结构结构和摩擦学特性的数据集
机译:射频磁控溅射制备的具有静磁改变和改善的磁性的石榴石多层薄膜结构
机译:沉积条件对射频磁控溅射mos2薄膜的影响
机译:用射频磁控溅射法和薄膜太阳能电池用射频薄膜制备木质薄膜的方法
机译:利用射频磁控溅射制备ITO纳米粒子的方法
机译:旋涂法和原子层沉积法在有机基质上多层门介电层的制备方法,以及利用该方法制备有机半导体器件的方法
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