退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
侯彩霞; 郑新和; 彭铭曾; 杨静; 赵德刚;
北京科技大学数理学院;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083;
InGaN/GaN多量子阱; 金属有机化学气相沉积; 光致发光; 高分辨X射线衍射;
机译:势垒层生长之前的温度上升时间在InGaN / GaN多量子阱的光学和结构特性中的作用
机译:InGaN / GaN单量子阱发光二极管的光输出效率取决于分隔有源层和p层区域的势垒层的特性
机译:势垒层沉积时间对高效绿色发光InGaN / GaN多量子阱的光学和结构性能的影响
机译:中温GaN层上InGaN多量子阱结构中V坑附近势垒的显微光谱评估(2)
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:势垒厚度对InGaN / GaN多量子阱结构和光学性能的影响
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:/ InGaN / GaN多量子阱结构层的制造方法
机译:具有多个量子阱结构的光学半导体器件,例如LED,具有形成超晶格的交替阱层和势垒层
机译:具有量子阱结构和势垒层的光学器件
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。