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刘尧; 肖绪瑞; 李学萍; 阎春辉; 曾一平; 孙殿照; 郑海群; 国红熙;
中国科学院感光化学研究所;
北京100101;
中国科学院半导体研究所;
北京100083;
光电极; 砷化镓; 铝镓砷; 半导体;
机译:与长波长光电电子匹配的新型伪晶格(GaAs_(1-x)Sb_x-In_yGa_(1-y)As)/ GaAs双层量子阱结构晶格
机译:新型复合In_(0.15)Ga_(0.85)As / GaAs | GaAs / Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱电极的光电化学行为
机译:夹在Ⅱ型AlAs / GaAs超晶格之间的In_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)/ GaAs量子阱的光学探测回旋共振研究
机译:具有p型GaAs阱和晶格匹配的三元和四元势垒的无铝量子阱子带间光电探测器
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:晶格匹配Ga1-x中光电流振荡的实验研究和数值模拟在XñÿAs1-y/ GaAs量子阱p-i-n光电二极管
机译:晶格匹配的Ga1-xInxNyAs1-y / GaAs量子阱p-i-n光电二极管中光电流振荡的实验研究和数值模拟
机译:半导体电极。 24.基于p型Gaas的水溶液行为和光电化学电池
机译:具有多个量子阱结构的光学器件,这些晶格已匹配到GAAS基质,并且深度图像采集设备和3D图像采集设备(包括光学设备)
机译:发光二极管中使用的半导体具有由晶格空位匹配构成的两层边界层,中间层和单量子阱结构。
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
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