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张冬明; 刘巍; 张鹏;
上海华力微电子有限公司;
上海201203;
激光脉冲退火(LSA); 超浅结(USJ); 二次离子质谱(SIMS); 卷曲曲线; 本征; 特性曲线;
机译:具有抑制的多晶硅栅极耗尽和超浅结的先进互补金属氧化物半导体器件的新型激光退火工艺
机译:非熔融激光尖峰退火形成超浅结及其在65 nm节点中互补金属氧化物半导体器件中的应用
机译:0.1微米以下CMOS器件采用等离子浸入离子注入和激光退火的超浅P + / N结
机译:新概念毫秒退火的建议:柔性形状脉冲闪光灯退火(FSP-FLA),用于制造超浅结,改善金属栅极高K CMOS性能
机译:低电阻触点与用于纳米级MOS器件的激光退火结。
机译:脉冲激光沉积的P-CZTS / N-Si-纳米线异质结的光伏器件的光电转换优化
机译:使用与改性等离子体辅助掺杂方法集成的脉冲激光退火工艺实现了共形和超浅结形成
机译:使用与工具兼容的纳秒热掺杂技术制造用于0.18(μm)mOs器件应用的亚40nm p-n结
机译:多脉冲激光退火激活超浅结的方法
机译:激光退火和快速热退火形成超浅结的方法
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