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吴猛; 曾一平; 王军喜; 胡强;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学中心;
北京100083;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心;
氮化镓; 蓝宝石图形衬底; 选择性生长; 发光二极管; 缓冲层;
机译:通过形成具有柱状微结构的低温GaN缓冲层,在蓝宝石衬底上生长较少弯曲的GaN外延层
机译:通过低温沉积缓冲层在蓝宝石衬底上生长GaN晶体,并通过掺杂镁并进一步用低能电子束辐照获得p型GaN晶体
机译:在具有低温沉积AlN缓冲层的蓝宝石衬底上生长的GaInN / GaN层的原子尺度表征
机译:随着量子点作为在蓝宝石衬底上生长的缓冲层,通过分子束外延在蓝宝石衬底上改善GaN膜的晶体质量
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:用HVPE使用组合缓冲层在蓝宝石上制造2英寸独立的GaN衬底
机译:通过MOCVD表征蓝宝石衬底上生长的AlN缓冲层和厚GaN层
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:由蓝宝石衬底上的沟槽图案化的GaN层制造GaN衬底的结构和方法
机译:-在多晶碳化硅衬底上锉成的蓝宝石薄层上使用gan的半导体gan器件和方法
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