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陈鹏; 高健; 吴磊; 郭剑; 余丙军;
西南交通大学机械工程学院摩擦学研究所,成都610031;
南华大学机械工程学院,湖南衡阳421001;
摩擦诱导选择性刻蚀; 机械划痕; 氧化层; 掩膜; 单晶硅;
机译:硅化镍薄膜作为掩膜和结构层,用于通过氢氧化钾湿法刻蚀进行硅块体微加工
机译:PR掩膜湿法刻蚀形成双栅氧化物时的迟滞现象
机译:在玻璃干法刻蚀过程中由金属籽晶层控制的自掩膜,以实现光散射表面
机译:氧化金作为区域选择性表面化学的掩膜层。
机译:作者更正:理解湿法刻蚀对表面划痕抗损伤性的影响
机译:局部厚膜阳极氧化铝的掩膜方法分析和侧掩膜行为研究
机译:环境对光化学反应的影响:原卟啉IX在溶液,单层膜,有组织单层组件和胶束中的光氧化行为的对比。
机译:通过在氧化铬或铬掩膜层上提供掩膜,蚀刻氧化铬或铬掩膜层,并在等离子体中使用硬掩膜选择性蚀刻难熔金属氮化硅相移层来生产半色调相掩膜
机译:硅掩膜层系统,用于生产可用于光学,化学传感器和表面微机械结构的多孔硅结构,包括二氧化硅层,键合层和保护层
机译:能获得比选择性转化氧化硅膜和氮化硅膜高的选择性的湿法刻蚀组合物以及使用该方法的湿法刻蚀方法
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