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张正选; 邹世昌;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
信息功能材料国家重点实验室;
上海200050;
绝缘体上硅; 总剂量效应; 单粒子效应; 瞬时剂量率效应; 辐射加固技术;
机译:空间和消费两用半导体集成电路的发展:SOI器件的辐射容限增强技术
机译:通过采用抗辐射电路设计的商业技术制造的高级SOI-SRAM中的SEU电阻
机译:三种SOI材料技术的电学和辐射表征
机译:使用OKI0.15μmFD-SOI技术制造的SOI像素器件的抗辐射性
机译:引入多孔硅作为牺牲材料,以在SOI晶片的衬底中获得空腔,以及用于MEMS器件的吸气材料
机译:使用天然植物纤维材料的土壤加固技术的最新进展:过去的发现现在的趋势和未来的方向
机译:热辐射加固电机聚合物绝缘材料的物理与技术
机译:用sOI(绝缘体上硅)薄膜制造的抗辐射JFET器件和CmOs电路
机译:辐射敏感性抗蚀剂材料以及使用该辐射敏感性抗蚀剂材料的器件的制造方法
机译:在SOI衬底上制造的抗辐射高压半导体器件结构
机译:水泥基灌浆材料的制造方法,相同方法制造的水泥基灌浆材料,使用水泥基灌浆材料的混凝土构件的抗剪加固方法及抗剪加固结构
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