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李京波; 盖艳琴; 康俊; 李树深; 夏建白;
中国科学院半导体研究所;
北京100083;
第一性原理计算; 掺杂机制; d^0铁磁性; 掺杂瓶颈; 二维半导体;
机译:掺杂深两能级陷阱的半导体中的重组不稳定性
机译:p掺杂小分子有机半导体中的费米能级移动和掺杂效率:光电子能谱和理论研究
机译:辐照III-V半导体中深本征点缺陷能级的能量位置与有限费米能级之间的相关性
机译:具有深Mg掺杂层的AlGaN / GaN金属绝缘体半导体电容器,其特征在于深能级瞬态光谱和光致发光
机译:有机半导体独特掺杂机制的根本研究
机译:钯掺杂调整带隙能级以及细胞和肺对Co3O4p型半导体的氧化应激反应
机译:水平布里奇曼法研究砷化镓化合物半导体的深电子能级
机译:深掺杂掺杂半导体制备CdGeas2的可能性研究
机译:半导体或太阳能级材料熔体受控掺杂用气体掺杂系统
机译:气体掺杂系统,用于对半导体级材料或太阳能级材料的熔体进行可控掺杂
机译:气体掺杂系统,用于半导体级材料或太阳能级材料的熔体的受控掺杂
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