两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管

摘要

与现有的薄膜晶体管技术相比，碳纳米管薄膜晶体管（CNT—TFT）具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势，因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景．通常CNT—TFT的制备多是采用CNT溶液沉积法，在基底上得到的是无序的网络状薄膜，存在大量的CNT交叉结．受CNT材料制备的限制，