宽禁带氧化锌半导体材料的未来与挑战

摘要

第三代半导体材料具有宽禁带、高击穿场强、高激子束缚能、高饱和电子漂移速度的典型特征,在半导体照明、下一代通信技术、能源互联网、高速轨道交通、电力电子器件与新能源器件等领域应用广泛,已经成为未来半导体材料领域全球战略竞争新高地.近年来,美国、日本、英国、欧盟等国家和地区分别通过启动国家计划、设立国家创新中心等方式,持续加大对第三代半导体材料与器件的基础研究,不断推进其技术实现应用突破.自2016年以来,我国将“重点加强极低功耗芯片、新型传感器、第三代半导体芯片”等纳入《十三五国家科技创新规划》和《十三五国家战略性新兴产业发展规划》中.科学技术部分别在新能源汽车、战略性先进电子材料、智能电网技术与装备等国家重点研发计划专项中设立多个研究项目,针对第三代半导体材料基础与应用的关键科学问题开展研究.