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肖洋; 张一川; 张昇; 郑英奎; 雷天民; 魏珂;
西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院;
西安710071;
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;
北京100029;
AlGaN/GaN; HEMT; 短沟道效应; 凹栅槽; 频率特性;
机译:部分和完全凹入栅增强模式的AlGaN / GaN MIS HEMT在击穿机理上的比较研究
机译:用于凹栅AlGaN / GaN-HEMT的低损伤干法蚀刻
机译:凹栅AlGaN / GaN HEMT的刻蚀深度表征
机译:反向偏置退火对具有凹栅结构的AlGaN / GaN MIS-HEMT性能的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:在未掺杂的AlGaN / GaN HEMT结构上制造的无栅FET pH传感器HEMT结构
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:绝缘栅AlGaN / GaN HEMT
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