一种新型高压功率器件终端结构的实现

摘要

基于实际生产需求,通过软件仿真对一种新型高压功率器件的终端结构进行了优化设计,并制备了性能良好的器件。使用TCAD软件对新型终端的性能进行了仿真,并对终端结构参数进行了优化。仿真结果表明,新结构可以有效缩小终端面积并提高器件的击穿电压。经过生产工艺优化,对采用新型终端结构和传统结构的垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)(650 V)产品分别进行了流片。实测结果表明,采用新型终端结构器件的反向击穿电压为750 V,终端宽度为119μm,产品良率大于90%。与有相同击穿电压采用传统结构的VDMOS相比,其终端宽度缩小50%以上,良率基本相同。