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尤明慧; 祝煊宇; 李雪; 董明雪; 王勇; 曲轶;
吉林农业大学信息技术学院;
长春130018;
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;
长春130022;
海南师范大学物理电子工程学院;
海口571158;
多孔InP; 电子束光刻; 电化学刻蚀; 定域性; 波导;
机译:InGaAsP-InP埋入异质结构光放大器与反应性离子刻蚀的单片对接波导之间的均匀且高耦合效率
机译:以离子液体为刻蚀剂的光辅助电化学刻蚀制备的多孔GaN光电极
机译:通过光辅助电化学刻蚀形成具有改善的结构可控性的GaN多孔结构
机译:InP的外延生长和通过电化学刻蚀和退火的多孔埋层进行的InP层转移
机译:光伏和超级电容器应用无毒电化学刻蚀控制多孔硅的孔特性
机译:p型GaAs电化学刻蚀形成的纳米多孔层的化学组成
机译:光辅助电化学刻蚀形成的GaN多孔纳米结构的结构与光电化学性质之间的相关性
机译:具有径向对称性的多孔media211方程外域问题解的定域
机译:基于InP的光子集成电路,具有含Al的波导核,基于InP的阵列波导光栅(AWG)和雪崩光电二极管(APD)以及其他包含InAlGaAs波导核的光学组件
机译:相移光掩模,用于降低波谱法的波导管效应和波导管效应,并提高光投影投影仪的分辨率,以及用于平面相移掩模的嵌入式刻蚀停止部分
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