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张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 胡文瑞; 林兰英;
中国科学院半导体研究所;
半导体材料科学重点实验室;
北京100083;
中国科学院力学研究所;
国家微重力实验室;
北京100080;
电化学C-V法; GaMnSb/GaSb单晶; 载流子浓度; 纵向分布; 磁性半导体; 稀磁半导体; 闪锌矿结构;
机译:金属有机化学气相沉积法生长n型GaSb:两带传导对载流子浓度和施主活化的影响
机译:(In,Mn)As / GaSb磁性合金半导体异质结构中的载流子诱导磁性
机译:内部光发射光谱法研究Ⅱ型InAs / GaSb超晶格光电探测器的带偏移和载流子动力学
机译:低载流子浓度的GaSb单晶的生长
机译:低载流子浓度材料和RCrSb(3)的磁性和传输特性。
机译:Fe3O4超顺磁性单晶纳米颗粒环的形貌和磁通量分布
机译:电化学沉积CdTe膜的电阻率,载流子浓度和载流子迁移率
机译:用于非制冷探测器操作的中红外Inas / Gasb超晶格中残留背景载流子的研究(pOsTpRINT);杂志文章
机译:用于通过电化学装置的差分容量/电压测量来确定半导体晶体中的载流子浓度的深度分布的方法和装置
机译:用单晶制造方法制造的单晶,其中低密度的晶体缺陷分布等于FPD的密度分布沿纵向方向和径向方向分布,其均匀性和制造方法
机译:控制硅单晶硅锭氧浓度的方法,该方法可将均匀浓度的氧气应用于硅锭的纵向方向
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