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冯嘉鹏; 赵红东; 孙渤; 段磊; 郭正泽; 陈洁萌; 姚奕洋;
河北工业大学信息工程学院电子材料与器件天津市重点实验室;
天津300401;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050000;
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN; HEMT); 器件参数; 性能; 场板; 自热效应;
机译:基于材料和物理尺寸的梯度Algan / GaN HEMT器件性能设计优化
机译:大功率开关应用Alo.42lno.o3Gao.55N / UID-AIN / GaN / GaN异质结构四级势垒上高k介电材料MIS-HEMTs器件的表征和优化
机译:常关型GaN HEMT器件中p-GaN栅极的物理操作和优化
机译:在器件表征和全GaN基LLC谐振转换器中评估600 V共源共栅GaN HEMT
机译:GaN基功率半导体晶体管的设计与优化
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。
机译:GaN基HEMT器件
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
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