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周春锋; 兰天平; 周传新;
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
天津300220;
p型; 锗单晶; 垂直梯度凝固(VGF); 位错; 位错排;
机译:VGF工艺生长的GaAs和InP单晶中位错减少的有限元建模
机译:极低位错密度(EPD 1000 cm〜-2)的GaAs的VGF生长区中的残留位错类型分析
机译:VGF生长的Si掺杂GaAs中残留位错的研究
机译:VGF工艺生长的GaAs单晶中位错还原的有限元模拟
机译:通过VGF工艺生长的半导体晶体中位错生成的晶体学有限元建模。
机译:纳米压痕法研究LiTaO3单晶的室温蠕变行为和位错成核的活化体积
机译:离子晶体中移动位错的平均自由程。 NaCl单晶中位错运动的核自旋弛豫研究
机译:正电子湮没对高纯铁变形单晶的位错研究:位错密度的确定
机译:抑制生长缺陷的Bi4GE3012锗酸铋的单晶生长方法
机译:通过逐步周期性摄动技术生长的位错密度降低的SiC单晶
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