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机译:抑制生长缺陷的Bi4GE3012锗酸铋的单晶生长方法
公开/公告号CS275526B2
专利类型
公开/公告日1992-02-19
原文格式PDF
申请/专利权人 MONOKRYSTALY TURNOVCS;
申请/专利号CS19890004209
发明设计人 JAROLIMEK OTTO ING.CS;ZIKMUND JAN ING.CS;HORAK JIRICS;BLAZEK KAREL ING.CS;
申请日1989-07-10
分类号C30B29/32;
国家 CS
入库时间 2022-08-22 05:36:28
机译: 抑制生长缺陷的Bi4GE3012锗酸铋的单晶生长方法
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