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王轩; 梁波; 邸庆银; 赵洪力; 杨静凯;
燕山大学材料科学与工程学院;
河北秦皇岛066004;
亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室;
气溶胶辅助化学气相沉积法; 氟掺杂二氧化锡薄膜; 氟掺杂量; 电学性能; 光致发光;
机译:用于气体传感器的SnO_2薄膜的气溶胶辅助CVD
机译:气溶胶辅助MOCVD法生长In,Ga和Al掺杂的ZnO薄膜的性能:沉积温度,掺杂水平和退火的影响
机译:通过气溶胶辅助CVD制备鲁棒的超疏水表面,通过粗糙结构恢复,通过气溶胶辅助CVD和热触发的超细侵蚀性愈合
机译:氮掺杂对气溶胶辅助热CVD法制备非晶碳薄膜电学性能的影响
机译:通过热线和ECR-等离子CVD技术制备的纳米晶硅薄膜太阳能电池的结构和电子性能。
机译:溶胶-凝胶法和磁控反应溅射制备Eu掺杂ZnO薄膜的结构性能与能量转移的相关性
机译:通过气溶胶辅助CVD制备的Si掺杂ZnO透明氧化物薄膜
机译:射频溅射制备sn掺杂In2O3薄膜的性能。
机译:原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制备卤化物掺杂源,原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜和卤化物的方法用该方法制成的掺杂氧化物薄膜
机译:掺杂半导体薄膜和纳米结构的制备方法(气溶胶辅助化学气相沉积或喷雾热解技术)
机译:基于氟掺杂法固溶处理的氧化物半导体控制薄膜晶体管电性能的方法
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