一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构

摘要

提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管(BRT)新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析,并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明,新器件导通时会产生电子注入增强效应,由绝缘栅双极晶体管模式快速转换成晶闸管模式,当n型隐埋层浓度为8×10^(15)cm^(-3),隐埋层与p基区相接并与p++分流区距离接近时,能够有效抑制器件中的电压折回现象,获得良好的导通特性。新器件的导通压降为3.84 V,比传统器件减少了26%。