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源极区下面具有隐埋P型层的晶体管及其制造方法

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本发明提供金属半导体场效应管(MESFET)的单元。MESFET的单元包括源极(13)、漏极(17)和栅极(24)。栅极(24)设置在源极(13)和漏极(17)之间，并在n型导电沟道层(18)上。P型导电区(14)设置在源极下面并且具有伸向所述漏极(17)的端部。P型导电区(14)与n型导电沟道区域(18)隔开并且在电气上连接到源极(13)。

著录项

公开/公告号CN100517761C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-07-22

原文格式PDF
申请/专利权人克里公司;
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申请/专利号CN200380104488.2
发明设计人 S·斯里拉姆;
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申请日2003-10-02
分类号H01L29/812(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人杨凯;张志醒
地址美国北卡罗来纳州
入库时间 2022-08-23 09:02:33

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-07-22

授权

授权
2006-03-01

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-01-04

公开

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