具有隐埋层的BRT机理与特性研究

目录

声明

1 绪论

1.1 功率半导体器件的发展

1.2 MOS栅控器件的研究进展

1.2.1 IGBT的研究进展

1.2.2 MOS 控制晶闸管的研究进展

1.3 本文主要研究内容

2 具有隐埋层的BRT新结构与机理研究

2.1 具有隐埋层的两种 BRT新结构及其工作原理分析

2.1.1 BN-CS-BRT结构特点及其工作原理

2.1.2 BOX-BRT结构特点及其工作原理

2.1.3 仿真结构模型建立

2.2 阻断机理与特性

2.2.1 BN-CS-BRT阻断机理与特性

2.2.2 BOX-BRT阻断机理与特性

2.3 开通机理与特性

2.3.1 BN-CS-BRT开通机理与特性

2.3.2 BOX-BRT开通机理与特性

2.4 导通机理与特性

2.4.1 BN-CS-BRT导通机理与特性

2.4.2 BOX-BRT导通机理与特性

2.4.3 IE效应分析

2.5 关断机理与特性

2.5.1 BN-CS-BRT关断机理与特性

2.5.2 最大可关断电流密度分析

2.6 本章小结

3 具有隐埋层的BRT特性对比及参数优化

3.1 BOX-BRT与 BN-CS-BRT的特性对比

3.2 BN-CS-BRT的关键结构参数优化

3.2.1 n型隐埋层浓度 NBL

3.2.2 n型隐埋层厚度 TBL

3.2.3 n型隐埋层与 P 基区间距△x

3.2.4 n型隐埋层与 P++分流区间距△y

3.2.5 nFS 层浓度 NnFS

3.2.6 最优结构参数提取

3.3 BOX-BRT的关键结构参数优化

3.3.2 埋氧层与 P++分流区间距△y

3.3.3 最优结构参数提取

3.4 本章小结

4 载流子寿命及温度对器件特性的影响分析

4.1 载流子寿命对 BN-CS-BRT的特性影响

4.1.1 载流子寿命对静态特性的影响

4.1.2 载流子寿命对动态特性的影响

4.2 载流子寿命对 BOX-BRT的特性影响

4.2.1 载流子寿命对静态特性的影响

4.2.2 载流子寿命对动态特性的影响

4.2.3 技术曲线对比

4.3 温度对器件特性影响

4.3.1 温度对 BN-CS-BRT的特性影响

4.3.2 温度对 BOX-BRT的特性影响

4.3.3 温度对最大可关断电流密度的影响

4.4 本章小结

5 结论与展望

5.1 结论

5.2 展望

致谢

参考文献

攻读学位期间主要研究成果