具有嵌埋位线的存储器阵列及形成存储器阵列的方法

摘要

本发明涉及具有嵌埋位线的存储器阵列及形成存储器阵列的方法，其披露一种结构，其中，存储器阵列中的存储器单元的垂直场效应晶体管(VFET)的下方源/漏区在嵌埋位线上方对齐并与其电性连接。各单元包括具有下方源/漏区、上方源/漏区以及垂直延伸于该些源/漏区之间的至少一个沟道区的VFET。该下方源/漏区在嵌埋位线上方并与其紧邻，该位线具有与该下方源/漏区相同或与其相比较窄的宽度，且该位线包括一对位线段以及横向位于该些段之间的半导体区。该半导体区由与该下方源/漏区不同的半导体材料制成。本发明还披露一种方法，以确保可获得具有所需关键尺寸的位线并允许在最小位线耦合下的该存储器阵列的尺寸微缩。