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王保顺; 崔江维; 郑齐文; 席善学; 魏莹; 雷琪琪; 郭旗;
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;
中国科学院大学;
鳍式场效应晶体管; 热载流子注入效应; 总剂量效应;
机译:体硅上应变Ge pMOS FinFET的总电离剂量效应
机译:通过离子注入蒙特卡罗模拟研究20 nm体MOSFET和绝缘体上硅FinFET中的随机掺杂波动
机译:在部分耗尽的0.2μm绝缘体上硅技术中研究独特的总电离剂量效应
机译:FinFET与22nm体CMOS技术的比较研究:SRAM设计观点
机译:绝缘体上硅(SOI)MOSFET的热载流子可靠性及其在非易失性存储器中的应用。
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:硅器件中的载流子传输研究:用于存储器件应用的多层绝缘体的电学和光学研究
机译:自优化电路,用于减轻完全耗尽的绝缘体上硅技术中的总电离剂量效应,温度漂移和老化现象
机译:在总电离剂量效应下16nm MLC NAND闪存的错误表征和缓解
机译:总电离剂量效应下16NM MLC NAND闪存的误差表征和缓解
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