首页> 中国专利> 一种热载流子效应和总剂量效应的耦合仿真方法

一种热载流子效应和总剂量效应的耦合仿真方法

摘要

本发明公开了一种热载流子效应和总剂量效应的一种耦合仿真方法,主要解决现有技术无法准确得到NMOS场效应管电学特性随时间变化的问题,其实现方案是:利用TCAD工具的Sentaurus软件进行建模得到NMOS器件结构;对该器件利用施加的热载流子应力提取出器件的栅氧化层电荷和界面态陷阱电荷浓度进行仿真,得到器件在热载流子应力下的电学特性;然后激活Radiation模型进行总剂量效应和热载流子效应的耦合仿真,得到器件在耦合应力下的退化特性。本发明相比现有技术采用加固定电荷的方法,能更加准确的反映出总剂量效应对热载流子效应的影响,可用于获得NMOS场效应晶体管的电学特性。

著录项

  • 公开/公告号CN113591320B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.09.06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN202110907226.X

  • 发明设计人 刘红侠;高子厚;陈树鹏;王树龙;

    申请日2021.08.09

  • 分类号G06F30/20;G06F119/14;

  • 代理机构陕西电子工业专利中心;

  • 代理人王品华;陈媛

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

  • 入库时间 2022-09-26 23:19:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-06

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号