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李士颜; 刘昊; 黄润华; 陈允峰; 李赟; 柏松; 杨立杰;
南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子国家重点实验室;
SIC; kV; A; 4H-SIC; DMOSFET;
机译:具有稳定的亚阈值行为(与温度无关)的10kV大面积4H-SiC功率DMOSFET
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:3.3 kV 4H-SiC DMOSFET,具有高度可靠的栅极绝缘体和体二极管
机译:10kV,50A 4H-SIC DMOSFET的演示,具有稳定的亚阈值特性,跨越25-200°C的操作温度
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:4H-SiC外延层器件在高分辨率辐射检测中的进展
机译:在4H-SIC ACCU-MOSFET高功率器件上非常低R / SUB /测量/测量
机译:用于高级脉冲功率应用的20 kV,2 cm2,4H-sIC栅极关断晶闸管
机译:在单相25,5 kV AC上更改3,3 kV DC电气线路的方法以及为此目的设计的方法
机译:包含1α,25-二羟基胆钙素的药物组合物,可将pH值控制在6.5-7.5和一个载体中
机译:横向DMOSFET半导体器件,其导通电阻和器件面积减小
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