激光频率对激光溅射法制备多晶硅薄膜压阻特性的研究

摘要

采用脉冲激光溅射法制备硼掺杂多晶硅薄膜,研究了不同频率下多晶硅薄膜的晶粒尺寸以及压阻性能。用扫描电子显微镜表征在不同的激光频率沉积的多晶硅薄膜的表面形貌,以及悬臂梁实验测定在不同的激光频率下沉积的多晶硅薄膜的应变系数。结果表明溅射频率对激光溅射法制备的硼掺杂多晶硅薄膜的晶粒尺寸和压阻性能都有着明显的影响,当频率为3 Hz时多晶硅薄膜的晶粒尺寸较大,约为35-65μm,并且多晶硅薄膜有着良好的压阻性能,其应变系数为36.8,电阻的温度系数为-0.036%/℃,应变系数的温度系数为-0.09%/℃。