低导通损耗宽安全工作区4500V IGBT器件研制

摘要

基于“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体（DMOS＋）平面元胞、增强型受控缓冲层（CPT＋）技术及结终端扩展（JTE）终端结构，通过引入载流子存储层、优化背面缓冲层及背面集电极结构，开发出低导通损耗、高关断能力及宽短路安全工作区的4500VIGBT芯片。高温测试（Tj=125℃）结果表明，该4500VIGBT的导通压降（Vceon）为3V，能够关断6．75倍额定电流，并通过了Vgeon=21．5V、tsc=15μs的极限短路测试；4500V／1200AIGBT模块的最高工作结温巧达150℃。