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Takayuki Kushima; Katsunori Azuma; Yasuhiro Nemoto; Katsuaki Saito; Yoshihiko Koike;
日立功率半导体器件株式会社 茨城日立3191221;
3-3 kV/1 800AIGBT 优化沟槽HiGT 准交错布局 杂散电感 寄生电感 电极结构;
机译:具有新型SiC JBS二极管和Si Advanced Trench HiGT的高效3.3kV SiC-Si混合功率模块
机译:配电设备MOSFET 3.3kV全版模块的沟槽门
机译:具有短路功能的沟槽栅高导通IGBT(HiGT)
机译:采用高级Trench HiGT结构的1800A / 3.3kV IGBT模块和模块设计优化
机译:抗震模块化结构的优化设计。
机译:利用采用流体床造粒技术提高生物利用度的西地那非柠檬酸盐糖酸盐盐酸盐酸盐酸盐糖浆设计和优化设计和优化设计方法的开发
机译:面向模块的工具,用于优化设计加筋结构}第一部分
机译:具有子结构的结构的故障安全优化设计。
机译:声学结构复合优化设计方法,优化设计系统及其分析程序和记录介质及其记录程序
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