大容量PROM编程单元抗单粒子翻转特性研究

摘要

反熔丝PROM存储器是高性能计算机系统核心存储器,具有非易失性、抗辐照能力强、高可靠性、体积小等特点；文章根据自主研制大容量反熔丝PROM存储器,对编程单元抗单粒子翻转进行机理分析,找出影响器件影响抗单粒子效应能力的主要因素;通过ISE TCAD软件对PROM编程单元进行仿真,得到不同的器件状态和电特性.研究结果表明,采用体硅外延工艺并且在电路和版图设计中考虑以上设计因素,设计的大容量PROM编程单元能有效的提高产品的抗单粒子翻转性能.