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CMOS工艺; 射频开关; 砷化镓; 性能; 交付; 蓝宝石晶片; 股份公司; 硅晶圆;
机译:UltraCMOS™工艺有助于生产高集成度的射频集成电路,这对在射频开关中使用砷化镓提出了挑战
机译:具有和不具有超导栅电极的铝砷化镓/砷化镓高电子迁移率晶体管的噪声性能比较研究
机译:射频开关:硅与砷化镓竞争
机译:砷化镓与铟镓砷化镓的比较作为使用Silvaco应用的太阳能电池性能的材料
机译:硅MOSFET,砷化镓MESFET和砷化铝镓/砷化镓MODFET数字电路和系统的缩放比例和性能限制。
机译:砷化镓砷酸镓合金的禁带抗穿越模型
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录a.高性能砷化镓掩模可编程功能和逻辑阵列的可行性分析
机译:用于制造砷化镓单晶晶片的硅掺杂砷化镓单晶锭,当砷化镓的凝固速率在预定范围内时,具有特定的结晶平均值
机译:具有低阈值电流的横向结带激光器-砷化镓铝和砷化镓层在砷化镓衬底上外延生长
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
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