MEMS结构中碳纳米管的电泳沉积及其场发射特性研究

摘要

利用电泳沉积的方法在MEMS结构特定位置上组装碳纳米管薄膜，以此作为发射体研制基于碳纳米管场发射的传感器，并对其场发射进行了测试和分析．电镜观测与场发射实验结果表明，利用电泳沉积方法可以只在MEMS结构的特定位置沉积碳纳米管薄膜，对于4μm的发射间隙、该薄膜的场发射开启电压约为3．6V～4V，发射电压20V时的发射电流可至28μA．这种“post-MEMS”的碳纳米管薄膜组装方法具有工艺简单的特点，同时避免了碳纳米管生长对MEMS工艺环境以及器件的污染、破坏，实现了纳米材料组装与MEMS工艺的兼容．