SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究

摘要

采用LPCVD和PECVD技术制作了不同厚度的SiNx和SiC材料样品，使用傅立叶变换红外光谱仪对其进行了红外吸收特性测试，并通过离子注入的方式对其红外吸收特性进行调节．实验结果表明：LPCVD SiNx材料在8～14μm波段存在吸收峰，而PECVD SiNx和SiC材料在3μm～5μm波段和8～14μm波段存在吸收峰．随着材料厚度的增加，吸收度也增加，1μm厚的LPCVD SiNx，红外吸收度可以达到0．92．离子注入可改变材料的红外吸收能力．