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李侃; 董树荣; 王德苗;
浙江大学信电系,杭州,310027;
AlN; 压电薄膜; 射频反应磁控溅射; 择优取向; FBAR;
机译:通过射频反应溅射表征不同氮浓度下沉积的AlN薄膜
机译:射频磁控反应溅射AlN薄膜的光学模型
机译:通过射频反应溅射在各种氮浓度下沉积的AlN薄膜
机译:使用反应溅射法检查MNS / Si(100)上的非极性AlN薄膜制备条件
机译:通过反应溅射制备的阳离子掺杂钛双氧薄膜:合成,表征和在环境催化中的应用。
机译:黑色TiOx薄膜具有通过反应溅射制备的光热辅助光催化活性
机译:RF反应溅射制备的ALN薄膜的结构和组成
机译:基体组成对反应溅射alN薄膜压电响应的影响;薄固体薄膜
机译:用于沉积压电薄膜的ALN ALN方法,该方法是ALN的压电薄膜
机译:AlN AlN AlN AlN AlN烧结体AlN基质及其制备方法
机译:射频腔中反应溅射法制得的具有垂直浓度的硬膜薄膜
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